从化学角度看，ITO是一种复合氧化物，其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度，而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比，ITO能够在保持光学透明的同时，具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性，使得ITO成为制造透明导电膜的理想选择。
制造ITO靶材是一项技术密集型的工作，涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性，而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。
目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。
热压烧结法
工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。
优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。
缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。
适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。
区别对比
成分差异：铟靶材为纯金属铟制成，而ITO靶材则是铟锡氧化物的复合物。
用途不同：铟靶材主要用于需要高导电性和延展性的领域，如航空航天部件；ITO靶材则因其透明导电性广泛应用于光电显示领域。
性能特点：铟靶材更侧重于导电性和机械强度，而ITO靶材则兼顾导电性和光学透明性。