从物理性质上看，ITO靶材具有以下几个显著特点：
高透明度：在可见光范围内（波长400-700纳米），ITO薄膜的透光率可高达90%以上，几乎与普通玻璃相当。
优异导电性：其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级，远低于大多数透明材料。
化学稳定性：在常温下，ITO对水、氧气等环境因素表现出良好的抗腐蚀能力。
机械耐久性：ITO薄膜具备一定的硬度和耐磨性，能够应对日常使用中的轻微刮擦。
这些特性让ITO靶材在实际应用中游刃有余，尤其是在需要兼顾光学和电学性能的场景中。
ITO靶材的核心用途是在磁控溅射工艺中作为“溅射源”。磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子被“敲击”出来，终沉积在基板上，形成一层均匀的ITO薄膜。这层薄膜厚度通常在几十到几百纳米之间，却能同时实现导电和透光的功能。
铟靶材主要由金属铟制成，具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属，铟在自然界的含量稀少，但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域，是制造高性能电子元器件的关键材料。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料，其主要成分为氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）。通常，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10，这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性，使其在透明导电薄膜中广泛应用。
