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    重庆氧化铟粉回收,铟靶废料回收价格

    2025-07-07 03:09:02 0次浏览
    价 格:面议

    半导体领域:占比 28%,用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积,在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升,如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。

    超高密度成型:超高密度成型工艺(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。

    晶粒定向控制:晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向,提升溅射薄膜的质量和性能,满足高端应用领域的需求。

    物理化学性能

    物理性质:

    密度:7.31 g/cm³,熔点 156.6℃,沸点 2080℃,常温下可弯曲而不碎裂。

    导电性:电导率约 1.1×10⁷ S/m,仅次于银、铜,适用于高频电子元件。

    化学性质:

    常温下在空气中稳定,加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃;可溶于强酸(如盐酸、硫酸),但在碱中稳定性较高。

    合金与特殊材料(占比约 10%):

    铟锡合金:熔点低至 120℃,用于保险丝、牙科材料;铟铅合金可作为核反应堆的中子吸收材料。

    铟箔与涂层:高纯铟箔用于真空密封、辐射屏蔽(如 X 射线探测器),或作为耐腐蚀涂层(如海洋工程)。

    科研与新兴领域:

    量子点显示、钙钛矿电池、柔性电子器件等前沿技术中,精铟作为高纯原料用于薄膜沉积或材料合成。

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