半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。
超高密度成型：超高密度成型工艺（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。
晶粒定向控制：晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向，提升溅射薄膜的质量和性能，满足高端应用领域的需求。
物理化学性能
物理性质：
密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。
导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。
化学性质：
常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。
合金与特殊材料（占比约 10%）：
铟锡合金：熔点低至 120℃，用于保险丝、牙科材料；铟铅合金可作为核反应堆的中子吸收材料。
铟箔与涂层：高纯铟箔用于真空密封、辐射屏蔽（如 X 射线探测器），或作为耐腐蚀涂层（如海洋工程）。
科研与新兴领域：
量子点显示、钙钛矿电池、柔性电子器件等前沿技术中，精铟作为高纯原料用于薄膜沉积或材料合成。