半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。
粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。
纯度分级：
4N 精铟：纯度≥99.99%，主要用于普通电子元器件及靶材原料。
5N-6N 精铟：纯度≥99.999%-99.9999%，用于高端半导体、光电材料等领域。
合金与特殊材料（占比约 10%）：
铟锡合金：熔点低至 120℃，用于保险丝、牙科材料；铟铅合金可作为核反应堆的中子吸收材料。
铟箔与涂层：高纯铟箔用于真空密封、辐射屏蔽（如 X 射线探测器），或作为耐腐蚀涂层（如海洋工程）。
科研与新兴领域：
量子点显示、钙钛矿电池、柔性电子器件等前沿技术中，精铟作为高纯原料用于薄膜沉积或材料合成。