半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。
主要成分：通常由 90% 的氧化铟（In₂O₃）和 10% 的氧化锡（SnO₂）组成，这一比例在实际应用中能实现透明性和导电性的理想平衡。
外观特性：在靶材形态下，颜色通常为浅黄色至浅绿色，而制成薄膜后则具有透明性。
热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。
显示技术领域：广泛应用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板显示器件中作为透明电极，确保显示设备既能透光显示图像，又能导电传输信号。