主要成分：通常由 90% 的氧化铟（In₂O₃）和 10% 的氧化锡（SnO₂）组成，这一比例在实际应用中能实现透明性和导电性的理想平衡。
外观特性：在靶材形态下，颜色通常为浅黄色至浅绿色，而制成薄膜后则具有透明性。
良好的导电性：ITO 薄膜的电阻率可达 10⁻⁴Ω・cm，具有较低的电阻和较高的载流子浓度，能够有效地传输电流，满足各种电子设备的导电需求。
热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。
物理化学性能
物理性质：
密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。
导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。
化学性质：
常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。