微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。
优异的光学性能：在可见光波段（380-780nm）内，ITO 薄膜的透光率通常能够达到 80% 以上，高透光率确保了其在显示器、太阳能电池等应用中的良好表现。
粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。
纯度分级：
4N 精铟：纯度≥99.99%，主要用于普通电子元器件及靶材原料。
5N-6N 精铟：纯度≥99.999%-99.9999%，用于高端半导体、光电材料等领域。