热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。
显示技术领域：广泛应用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板显示器件中作为透明电极，确保显示设备既能透光显示图像，又能导电传输信号。
精铟的制备需经过多步精炼，核心工艺包括：
原料预处理：以锌冶炼副产物（如浸出渣、烟灰）或含铟废料为原料，通过酸浸、萃取等方式初步分离铟。
电解精炼：将粗铟溶解为铟盐溶液（如硫酸铟），通过电解沉积得到纯度约 99.95% 的粗精铟。
深度提纯：
真空蒸馏：在高真空条件下利用铟与杂质的沸点差异（铟沸点 2080℃，杂质如锌沸点 907℃）去除低沸点杂质。
区域熔炼：通过移动加热区使杂质在固液界面重新分布，多次操作后可将纯度提升至 6N 以上。
化学提纯：利用萃取剂（如三丁基氧化膦）或离子交换树脂进一步去除微量金属离子。
合金与特殊材料（占比约 10%）：
铟锡合金：熔点低至 120℃，用于保险丝、牙科材料；铟铅合金可作为核反应堆的中子吸收材料。
铟箔与涂层：高纯铟箔用于真空密封、辐射屏蔽（如 X 射线探测器），或作为耐腐蚀涂层（如海洋工程）。
科研与新兴领域：
量子点显示、钙钛矿电池、柔性电子器件等前沿技术中，精铟作为高纯原料用于薄膜沉积或材料合成。