物理性质
熔点与沸点：熔点为 156.6 ℃，沸点为 2075 ℃。
可塑性与延展性：具有优良的可塑性、延展性，能够无限制任意变形、压成极薄的金属片。
导电性与导热性：导电性约为铜的 1/5，热膨胀系数几乎超过铜的一倍。
其他：在氢气或真空中加热铟会发生升华，熔化的铟能够润湿干净的玻璃，还具有超导性能、润滑性能、耐磨性能、光透性。
平板显示与触控技术
ITO 靶材（氧化铟锡）：
铟的消费领域是生产 ITO 靶材，占全球铟消费量的 70% 左右。ITO（氧化铟锡）是一种透明导电材料，用于制造液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）、等离子电视（PDP）和触摸屏的电极。
原理：ITO 薄膜兼具高透光率和导电性，使屏幕能实现显示和触控功能。
应用场景：智能手机、平板电脑、电视、电脑显示器等。
柔性电子器件：
铟的延展性和导电性使其适用于柔性电路板（FPC）和可穿戴设备（如智能手表、柔性屏）的透明电极制造。
放射性同位素应用
铟 - 111（¹¹¹In）：
作为诊断用放射性同位素，用于单光子发射计算机断层扫描（SPECT），标记白细胞或抗体后可追踪炎症部位或定位肿瘤（如淋巴瘤、神经内分泌肿瘤）。
靶向：
铟 - 111 与靶向结合，实现肿瘤的成像和放射。
精铟的制备方法
精铟通常以粗铟（纯度约 95%~99%，来源于锌矿冶炼副产物）为原料，通过多级提纯工艺获得：
电解精炼
将粗铟作为阳极，纯铟片作为阴极，在硫酸或氯化物电解液中通电，杂质（如锌、铅）沉积为阳极泥，铟离子迁移至阴极形成纯度约 99.95% 的电解铟。
真空蒸馏
在高真空（10⁻³~10⁻⁴ Pa）和高温（500~1000℃）下，利用铟与杂质（如镉、锡）的蒸气压差异分离，纯度可提升至 99.99%~99.999%。
区域熔炼
通过移动加热线圈使铟棒局部熔融，杂质随固液界面移动富集到末端，重复操作后纯度可达 99.9999%（6N）以上。
化学提纯
利用萃取（如用有机膦酸萃取铟）、离子交换或深度结晶等方法进一步去除微量杂质。