化合物半导体器件
场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。
作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
科研与前沿技术
1. 量子计算与超导器件
探索应用：铟薄膜作为超导材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制备，利用其超导电性实现低损耗量子信号传输。
2. 柔性电子与可穿戴设备
技术方向：在柔性电路板（FPC）、电子皮肤中作为可拉伸导电薄膜，利用铟的高延展性满足器件形变需求。
存储环境控制
温湿度：存储于干燥、恒温环境（温度 15~25℃，湿度≤40% RH），避免铟靶吸潮氧化（铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜，影响溅射效率）。
防尘防潮：用铝箔或真空袋密封包装，存放于洁净柜中，防止灰尘附着或与其他化学物质接触。
安装前预处理
表面清洁：
用无水乙醇或丙酮擦拭靶材表面，去除油污、指纹及氧化层（可用无尘布蘸取溶剂沿同一方向擦拭，避免来回摩擦）。
若靶材表面有轻微氧化，可用细砂纸（800~1200 目）轻轻打磨，再用去离子水冲洗并干燥。
靶材检查：
确认靶材无裂纹、孔洞或脱落（铟质地软，运输或安装时易磕碰损伤）。
检查靶材与靶架的适配性（如尺寸公差、导电性接触点），确保安装牢固。