先进封装技术
应用：在芯片倒装焊（Flip Chip）中作为焊料或热界面材料，实现芯片与基板的电气连接和热传导。
特点：低熔点（156.6℃）和高可靠性，适用于精密电子器件的低温封装。
功率与温度管理
溅射功率：
铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。
直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。
靶材冷却：
采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。
定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。
真空系统维护
腔体清洁：每次溅射后及时清理腔体内壁及基片台的铟沉积层（铟延展性强，易粘附在腔体表面，长期积累可能导致短路或影响真空度）。
可用棉签蘸取乙醇擦拭，或用软质刮刀轻轻刮除（避免损伤腔体涂层）。
真空泵保养：定期更换真空泵油（因铟蒸气可能污染泵油，建议每 200 小时检查一次），防止油液粘度升高影响抽气效率。
不管形态如何，含量高低，数量多少，均可回收提炼。现金交易，免费提供技术咨询服务，并严格为客户保密，中介高佣。多年来我们一直秉着互利双赢诚信经营，共创价值的原则。欢迎新老客户来电咨询洽谈！