热压法：把铟粉末在高温和高压下压制成型，能够提高靶材的致密度和机械强度，同时有助于减少气孔和其他缺陷。
冷等静压法：利用液压介质在室温下对铟粉末施加均匀压力使其成型，可制造出高密度和均匀性的靶材，但需要后续的烧结处理来提高其机械性能。
集成电路（IC）制造
用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。
优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。
存储环境控制
温湿度：存储于干燥、恒温环境（温度 15~25℃，湿度≤40% RH），避免铟靶吸潮氧化（铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜，影响溅射效率）。
防尘防潮：用铝箔或真空袋密封包装，存放于洁净柜中，防止灰尘附着或与其他化学物质接触。
靶材回收与再利用
回收价值：报废铟靶（含溅射过程中产生的碎屑、废膜）可通过化学溶解（如盐酸溶解）、电解精炼等工艺回收铟金属（回收率可达 95% 以上），降低生产成本。
环保要求：回收过程中产生的废水需处理至重金属排放标准（如铟离子浓度≤0.1 mg/L），避免环境污染。