集成电路（IC）制造
用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。
优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。
化合物半导体器件
场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。
作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
薄膜太阳能电池
主流技术：用于铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池的溅射镀膜，作为光吸收层（In-Ga-Se 合金）的核心材料。
优势：CIGS 电池的光电转换效率超过 23%，铟靶的纯度直接影响电池的开路电压和填充因子。
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