从物理性质上看，ITO靶材具有以下几个显著特点：
高透明度：在可见光范围内（波长400-700纳米），ITO薄膜的透光率可高达90%以上，几乎与普通玻璃相当。
优异导电性：其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级，远低于大多数透明材料。
化学稳定性：在常温下，ITO对水、氧气等环境因素表现出良好的抗腐蚀能力。
机械耐久性：ITO薄膜具备一定的硬度和耐磨性，能够应对日常使用中的轻微刮擦。
这些特性让ITO靶材在实际应用中游刃有余，尤其是在需要兼顾光学和电学性能的场景中。
目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。
热压烧结法
工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。
优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。
缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。
适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料，其主要成分为氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）。通常，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10，这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性，使其在透明导电薄膜中广泛应用。
在智能手机、平板电脑、超清电视的光滑屏幕背后，ITO靶材（氧化铟锡）是赋予其透明导电魔力的核心材料。作为ITO靶材的关键成分，铟（In）的稳定供应直接关系到全球万亿级显示产业的命脉。然而，这种稀散金属的地缘分布不均（中国储量占全球70%以上）和原生矿产的有限性，使得铟的回收再利用不再是环保课题，更成为保障产业、实现供应链韧性的“闭环”革命。