从化学角度看，ITO是一种复合氧化物，其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度，而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比，ITO能够在保持光学透明的同时，具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性，使得ITO成为制造透明导电膜的理想选择。
尽管制备方法看似成熟，但实际操作中仍有不少难题需要攻克：
成分配比的性：氧化锡的掺杂量通常控制在5-10%之间，过高会导致透明度下降，过低则影响导电性。如何在微观尺度上实现均匀混合，是一个技术挑战。
靶材密度：低密度靶材在溅射时容易产生颗粒飞溅，导致薄膜出现缺陷。提高密度需要优化压制和烧结条件，但这往往伴随着成本的上升。
微观结构的控制：靶材内部的晶粒大小和分布会影响溅射的稳定性。晶粒过大可能导致溅射不均，而过小则可能降低靶材的机械强度。
热应力管理：在高温烧结过程中，靶材可能因热膨胀不均而产生裂纹，影响成品率。
这些难点要求制造商在设备、工艺和质量控制上投入大量精力。
ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。
技术破局：从粗放走向精纯
现代铟回收工艺已形成精细链条：
预处理与富集：机械破碎液晶屏 → 高温焚烧去除有机物 → 酸溶浸出（常用硫酸/盐酸），将铟等金属转入溶液。
深度分离提纯（核心技术）：
溶剂萃取法：利用特定有机溶剂（如P204）选择性“捕获”溶液中的铟离子，实现与铁、锌、锡等杂质的深度分离，富集倍数可达千倍。
离子交换法：功能树脂吸附铟离子，适用于低浓度溶液提纯。
电解沉积：对富铟溶液通电，在阴极析出粗铟。
高纯精炼：对粗铟进行真空蒸馏、区域熔炼等，去除微量杂质（如镉、铅），产出纯度高达99.99%（4N）以上的精铟，满足高端ITO靶材要求。
绿色升级：循环经济的必由之路
相比开采原生矿（主要来自锌冶炼副产品），从电子垃圾中回收铟具有显著优势：
资源保障：1吨废弃液晶面板可提取200-300克铟，品位远超原矿。
节能减排：回收能耗仅为原生铟生产的1/3，大幅降低碳排放。
环境友好：减少电子垃圾填埋污染，避免采矿生态破坏。
经济可行：铟价高企（曾超1000美元/公斤）赋予回收强劲动力。