从物理性质上看，ITO靶材具有以下几个显著特点：
高透明度：在可见光范围内（波长400-700纳米），ITO薄膜的透光率可高达90%以上，几乎与普通玻璃相当。
优异导电性：其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级，远低于大多数透明材料。
化学稳定性：在常温下，ITO对水、氧气等环境因素表现出良好的抗腐蚀能力。
机械耐久性：ITO薄膜具备一定的硬度和耐磨性，能够应对日常使用中的轻微刮擦。
这些特性让ITO靶材在实际应用中游刃有余，尤其是在需要兼顾光学和电学性能的场景中。
冷等静压法
工艺流程：将混合粉末装入柔性模具，在室温下通过高压（100-300兆帕）压制成型，随后在较低温度下烧结固化。
优点：工艺相对简单，生产成本较低，适合小批量或定制化生产。
缺点：靶材密度和均匀性稍逊，可能在高功率溅射中表现不够稳定。
适用场景：中低端电子产品或实验室研发用靶材。
这两种方法各有千秋，制造商需要根据具体需求权衡成本与性能。
ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。
铟回收的难点在于其“稀”与“散”。一部废旧手机含铟量不足0.02克，且深嵌于多层结构的液晶面板中，与玻璃、塑料、其他金属紧密复合。传统的物理拆解难以分离，湿法冶金（酸/碱浸出）则面临成分复杂、杂质干扰、易产生二次污染等严峻挑战。