制造ITO靶材是一项技术密集型的工作，涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性，而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。
ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料，其主要成分为氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）。通常，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10，这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性，使其在透明导电薄膜中广泛应用。
氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。