目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。
热压烧结法
工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。
优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。
缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。
适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。
ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。
区别对比
成分差异：铟靶材为纯金属铟制成，而ITO靶材则是铟锡氧化物的复合物。
用途不同：铟靶材主要用于需要高导电性和延展性的领域，如航空航天部件；ITO靶材则因其透明导电性广泛应用于光电显示领域。
性能特点：铟靶材更侧重于导电性和机械强度，而ITO靶材则兼顾导电性和光学透明性。
在堆积如山的废弃手机、平板电脑和液晶显示器深处，隐藏着一种被称为“电子时代血脉”的稀有金属——铟。它虽在自然界中踪迹难寻，却在ITO靶材（氧化铟锡）中扮演着不可替代的角色，驱动着全球亿万块液晶屏幕的清晰成像。随着电子产品更新换代加速，一条从“电子垃圾”到“战略资源”的铟回收产业链正悄然崛起，成为保障产业与生态可持续的关键密码。