制造ITO靶材是一项技术密集型的工作，涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性，而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料，其主要成分为氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）。通常，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10，这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性，使其在透明导电薄膜中广泛应用。
透明导电薄膜在现代光电行业中具有至关重要的地位，是触摸屏、显示器和太阳能电池等设备中的核心组件。ITO靶材凭借其出色的透明导电特性成为制备透明导电薄膜的材料。
闭环之困：损耗与机遇并存
ITO靶材在溅射镀膜过程中利用率通常仅30%左右，大量含铟废料（废旧靶材、边角料、镀膜腔室废料）随之产生。过去，这些价值的废料往往被简单处理或堆积。建立从“废靶材→再生铟→新靶材”的闭环体系，成为破解资源约束的黄金路径。
