ITO靶材，全称氧化铟锡靶材，是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡（简称ITO）是一种n型半导体材料，通常由90%的氧化铟（In₂O₃）和10%的氧化锡（SnO₂）组成。这种材料以其的透明度和导电性，成为现代电子工业中不可或缺的组成部分。无论是智能手机的触摸屏、平板电脑的显示面板，还是太阳能电池的透明电极，ITO靶材都以其独特的功能支撑着这些设备的运行。
制造ITO靶材是一项技术密集型的工作，涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性，而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。
冷等静压法
工艺流程：将混合粉末装入柔性模具，在室温下通过高压（100-300兆帕）压制成型，随后在较低温度下烧结固化。
优点：工艺相对简单，生产成本较低，适合小批量或定制化生产。
缺点：靶材密度和均匀性稍逊，可能在高功率溅射中表现不够稳定。
适用场景：中低端电子产品或实验室研发用靶材。
这两种方法各有千秋，制造商需要根据具体需求权衡成本与性能。
ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。