ITO靶材的核心用途是在磁控溅射工艺中作为“溅射源”。磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子被“敲击”出来，终沉积在基板上，形成一层均匀的ITO薄膜。这层薄膜厚度通常在几十到几百纳米之间，却能同时实现导电和透光的功能。
目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。
热压烧结法
工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。
优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。
缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。
适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。
铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的回收方法难以有效提取，需要采用湿法冶金或火法冶金等先进技术。同时，回收过程中需确保电子废物流的分类和处理，以减少污染物对回收过程的影响。
闭环之困：损耗与机遇并存
ITO靶材在溅射镀膜过程中利用率通常仅30%左右，大量含铟废料（废旧靶材、边角料、镀膜腔室废料）随之产生。过去，这些价值的废料往往被简单处理或堆积。建立从“废靶材→再生铟→新靶材”的闭环体系，成为破解资源约束的黄金路径。