ITO靶材的核心用途是在磁控溅射工艺中作为“溅射源”。磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子被“敲击”出来，终沉积在基板上，形成一层均匀的ITO薄膜。这层薄膜厚度通常在几十到几百纳米之间，却能同时实现导电和透光的功能。
铟靶材主要由金属铟制成，具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属，铟在自然界的含量稀少，但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域，是制造高性能电子元器件的关键材料。
区别对比
成分差异：铟靶材为纯金属铟制成，而ITO靶材则是铟锡氧化物的复合物。
用途不同：铟靶材主要用于需要高导电性和延展性的领域，如航空航天部件；ITO靶材则因其透明导电性广泛应用于光电显示领域。
性能特点：铟靶材更侧重于导电性和机械强度，而ITO靶材则兼顾导电性和光学透明性。
闭环之困：损耗与机遇并存
ITO靶材在溅射镀膜过程中利用率通常仅30%左右，大量含铟废料（废旧靶材、边角料、镀膜腔室废料）随之产生。过去，这些价值的废料往往被简单处理或堆积。建立从“废靶材→再生铟→新靶材”的闭环体系，成为破解资源约束的黄金路径。
