在实际生产中，ITO靶材通常被加工成圆形或矩形的块状，与溅射设备配合使用。溅射过程中，靶材的质量直接影响薄膜的均匀性、附着力和性能。因此，高质量的ITO靶材不仅是技术要求，更是生产效率和产品可靠性的保障。
目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。
热压烧结法
工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。
优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。
缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。
适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。
铟靶材主要由金属铟制成，具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属，铟在自然界的含量稀少，但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域，是制造高性能电子元器件的关键材料。
铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的回收方法难以有效提取，需要采用湿法冶金或火法冶金等先进技术。同时，回收过程中需确保电子废物流的分类和处理，以减少污染物对回收过程的影响。