碳化硅（SiC）缘何成为第三代半导体重要的材料？
在半导体技术中，需要纯度的细晶粒石墨，而SiC 单晶的生长通常涉及在超过 2400 °C 的温度下的某种物理蒸汽传输机制。
多孔石墨作为晶体生长过程中关键的材料，同时，需要纯度和精度。我司可依据客户不同的型号要求定制，满足客户的不同需求。
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碳化硅（SiC）缘何成为第三代半导体重要的材料？
在半导体技术中，需要纯度的细晶粒石墨，而SiC 单晶的生长通常涉及在超过 2400 °C 的温度下的某种物理蒸汽传输机制。
多孔石墨作为晶体生长过程中关键的材料，同时，需要纯度和精度。我司可依据客户不同的型号要求定制，满足客户的不同需求。
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