铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材，是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中，铟靶材在高能粒子的轰击下，铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面，形成所需的铟薄膜。
主要成分：通常由 90% 的氧化铟（In₂O₃）和 10% 的氧化锡（SnO₂）组成，这一比例在实际应用中能实现透明性和导电性的理想平衡。
外观特性：在靶材形态下，颜色通常为浅黄色至浅绿色，而制成薄膜后则具有透明性。
物理化学性能
物理性质：
密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。
导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。
化学性质：
常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。
合金与特殊材料（占比约 10%）：
铟锡合金：熔点低至 120℃，用于保险丝、牙科材料；铟铅合金可作为核反应堆的中子吸收材料。
铟箔与涂层：高纯铟箔用于真空密封、辐射屏蔽（如 X 射线探测器），或作为耐腐蚀涂层（如海洋工程）。
科研与新兴领域：
量子点显示、钙钛矿电池、柔性电子器件等前沿技术中，精铟作为高纯原料用于薄膜沉积或材料合成。