微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。
粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。
显示技术领域：广泛应用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板显示器件中作为透明电极，确保显示设备既能透光显示图像，又能导电传输信号。
半导体与电子工业（占比约 25%）：
焊料与封装：利用铟的低熔点和延展性，作为半导体芯片的焊接材料（如倒装焊、热沉连接），可适应精密器件的高温稳定性需求。
化合物半导体：与镓、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探测器（如红外成像器件）。