半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。
光伏产业：占比 15%，应用于薄膜太阳能电池的透明电极，如铜铟镓硒（CIGS）薄膜电池、光伏异质结电池（HJT）等，随着这些电池技术的产业化进程加速，对铟靶的需求也在不断增加。
纯度分级：
4N 精铟：纯度≥99.99%，主要用于普通电子元器件及靶材原料。
5N-6N 精铟：纯度≥99.999%-99.9999%，用于高端半导体、光电材料等领域。
物理化学性能
物理性质：
密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。
导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。
化学性质：
常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。