光伏产业：占比 15%，应用于薄膜太阳能电池的透明电极，如铜铟镓硒（CIGS）薄膜电池、光伏异质结电池（HJT）等，随着这些电池技术的产业化进程加速，对铟靶的需求也在不断增加。
良好的导电性：ITO 薄膜的电阻率可达 10⁻⁴Ω・cm，具有较低的电阻和较高的载流子浓度，能够有效地传输电流，满足各种电子设备的导电需求。
粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。
物理化学性能
物理性质：
密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。
导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。
化学性质：
常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。