物理性质
熔点与沸点：熔点为 156.6 ℃，沸点为 2075 ℃。
可塑性与延展性：具有优良的可塑性、延展性，能够无限制任意变形、压成极薄的金属片。
导电性与导热性：导电性约为铜的 1/5，热膨胀系数几乎超过铜的一倍。
其他：在氢气或真空中加热铟会发生升华，熔化的铟能够润湿干净的玻璃，还具有超导性能、润滑性能、耐磨性能、光透性。
化学性质
与单质反应：铟在空气中稳定，加热到熔点以上会氧化成 In₂O₃；能与硫在高温加热的条件下反应，生成 InS 或 In₂S₃；室温下能与氟、氯、溴反应生成 InF₃、InCl₃、InBr₃，加热条件下与碘蒸气发生反应；能与氮气在高温下反应；也能与钍、铌、铂等金属发生反应。
与无机化合物反应：铟能与盐酸、稀高氯酸、稀硝酸等反应生成对应的盐和氢气，与浓硝酸在加热的条件下反应生成硝酸铟、二氧化氮和水；能与过量的氢氧化钠、氢氧化钾反应；还能与氯化铟、溴化汞、硫化铟、三氧化铟等卤化物发生反应。
与有机化合物反应：铟能与烷基氯、烷基溴、烷基碘以及十羰基合二锰等有机化合物反应。
半导体材料
化合物半导体：
磷化铟（InP）：用于制造 5G 基站的射频器件、激光雷达（LiDAR）的发射器、光纤通信中的激光器和探测器，是光电子和高频电子领域的核心材料。
砷化铟（InAs）、锑化铟（InSb）：用于红外探测器、量子计算元件和高速集成电路。
集成电路封装：
铟焊料（如铟 - 锡合金）因低熔点（约 156℃）、高可靠性和抗腐蚀性，用于芯片与基板的连接（如倒装芯片技术），尤其在航空航天和军工领域不可替代。
半导体与微电子工业
化合物半导体材料
磷化铟（InP）单晶衬底：
精铟是制备 InP 晶圆的核心原料，用于生产 5G 基站的射频芯片（如 HEMTs 高电子迁移率晶体管）、光纤通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子点发光器件（QLED）。
应用场景：5G 通信、数据中心光模块、自动驾驶激光雷达（LiDAR）。
砷化铟（InAs）/ 锑化铟（InSb）：
用于红外探测器（如军用夜视仪、卫星热成像）和拓扑量子计算元件。