热压法：把铟粉末在高温和高压下压制成型，能够提高靶材的致密度和机械强度，同时有助于减少气孔和其他缺陷。
冷等静压法：利用液压介质在室温下对铟粉末施加均匀压力使其成型，可制造出高密度和均匀性的靶材，但需要后续的烧结处理来提高其机械性能。
光伏领域：在薄膜太阳能电池中，铟靶材可作为光吸收层形成用的溅射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太阳能电池，有助于提高太阳能电池的转换效率。
科研与前沿技术
1. 量子计算与超导器件
探索应用：铟薄膜作为超导材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制备，利用其超导电性实现低损耗量子信号传输。
2. 柔性电子与可穿戴设备
技术方向：在柔性电路板（FPC）、电子皮肤中作为可拉伸导电薄膜，利用铟的高延展性满足器件形变需求。
溅射气体控制
气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。
气压调节：
直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。
射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。