粉末冶金法：通过将铟粉末在高温下压制和烧结成型，可有效控制杂质含量，能制造出形状复杂的靶材，制得的靶材具有较高的致密度和均匀性。
熔炼法：将铟材料加热至熔点以上，使其成为液态，然后通过铸模或其他成型工艺制造靶材，该方法简单快捷，但控制纯度和均匀性相对较难。
光伏领域：在薄膜太阳能电池中，铟靶材可作为光吸收层形成用的溅射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太阳能电池，有助于提高太阳能电池的转换效率。
存储环境控制
温湿度：存储于干燥、恒温环境（温度 15~25℃，湿度≤40% RH），避免铟靶吸潮氧化（铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜，影响溅射效率）。
防尘防潮：用铝箔或真空袋密封包装，存放于洁净柜中，防止灰尘附着或与其他化学物质接触。
溅射气体控制
气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。
气压调节：
直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。
射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。