光伏领域：在薄膜太阳能电池中，铟靶材可作为光吸收层形成用的溅射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太阳能电池，有助于提高太阳能电池的转换效率。
集成电路（IC）制造
用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。
优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。
铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。
溅射时间与沉积厚度
厚度监控：使用石英晶体微天平（QCM）实时监测薄膜沉积速率，结合靶材消耗速率（约 0.1~0.5 μm/min，与功率相关），控制溅射时间。
靶材利用率：避免过度溅射导致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 时需及时更换），通常平面靶材利用率约 30%~40%，旋转靶可提升至 60% 以上。