半导体材料
化合物半导体：
磷化铟（InP）：用于制造 5G 基站的射频器件、激光雷达（LiDAR）的发射器、光纤通信中的激光器和探测器，是光电子和高频电子领域的核心材料。
砷化铟（InAs）、锑化铟（InSb）：用于红外探测器、量子计算元件和高速集成电路。
集成电路封装：
铟焊料（如铟 - 锡合金）因低熔点（约 156℃）、高可靠性和抗腐蚀性，用于芯片与基板的连接（如倒装芯片技术），尤其在航空航天和军工领域不可替代。
太阳能电池
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池：
CIGS 电池具有光电转换效率高（实验室约 23%）、抗辐射能力强、可柔性制备等优点，适用于航天器、建筑一体化光伏（BIPV）和移动电源。
钙钛矿太阳能电池：
铟用于电极或界面修饰层，提升电池稳定性和效率。
、其他前沿应用
量子科技
铟原子用于量子计算中的离子阱技术，作为量子比特的载体。
航空航天
铟镀层用于卫星部件的抗氧化和抗腐蚀保护，或作为热界面材料（TIM）传导设备热量。
红外光学
硫化铟（In₂S₃）、硒化铟（In₂Se₃）用于红外透镜、窗口材料和热成像仪。
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