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氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

流回收工艺分类 当前ITO靶材回收主要围绕铟元素提取展开，主要分为物理法、化学法和联合工艺三类： 熔炼过滤法（物理法） 通过高温熔炼结合筛网过滤实现铟与其他金属的分离。具体流程包括： 废铟块在625℃熔炼炉中熔化，利用铁/不锈钢筛网（30-40目）截留固态杂质铁、铝。 熔融铟通过重力滴落收集，残留物可二次熔炼提升回收率至72%。 该方法具有设备简单（图1）、周期短（单次处理≤60分钟）的优势，适用于含铟量70%-90%的废靶材。但需控温（±5℃），否则杂质金属可能熔化导致纯度下降至95%以下。

当前，铟的主要消费领域集中在ITO靶材上，其占比高达约70%。此外，半导体制造和合金领域的需求也不容忽视，两者合计占总消费量的24%，而其他研究领域则占据了6%。然而，由于ITO制造过程中靶材利用率仅达30%左右，导致大量剩余材料成为废料。加之电子废弃物的激增，铟回收已成为资源可持续利用不可或缺的一环。随着技术进步和应用需求的增长，ITO废料回收能有效减少原矿资源消耗，实现资源的可持续性发展。