先进封装技术
应用：在芯片倒装焊（Flip Chip）中作为焊料或热界面材料，实现芯片与基板的电气连接和热传导。
特点：低熔点（156.6℃）和高可靠性，适用于精密电子器件的低温封装。
固态电池与储能技术
前沿应用：铟作为固态电解质的界面改性材料，改善电极与电解质的接触阻抗，提升固态电池的循环寿命和性。
功率与温度管理
溅射功率：
铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。
直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。
靶材冷却：
采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。
定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。
防护措施
个人防护：操作时佩戴防静电手套、护目镜，避免直接接触铟靶（铟金属，但粉尘吸入可能刺激呼吸道，需在通风良好环境下操作）。
防火防爆：铟粉或碎屑属于可燃固体（引燃温度约 200℃），需远离明火，废弃靶材及碎屑应收集于专用容器中，按危险废弃物处理。
电磁屏蔽：射频溅射时需确保设备接地良好，防止电磁辐射对操作人员或周边仪器的干扰。