纯化技术
区熔法：一种通过熔化和重新结晶来纯化材料的方法，可有效去除铟中的杂质，提高其纯度。
电解精炼：利用电化学反应将铟从杂质中分离出来。将铟材料作为阳极，置于电解液中，通过施加电流使铟离子在阴极上沉积，从而得到高纯度的铟。
化学纯化：利用化学反应去除铟中的杂质，例如通过溶剂萃取和化学沉淀等方法，可有效分离和去除杂质，提高铟的纯度。
功率与温度管理
溅射功率：
铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。
直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。
靶材冷却：
采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。
定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。
溅射时间与沉积厚度
厚度监控：使用石英晶体微天平（QCM）实时监测薄膜沉积速率，结合靶材消耗速率（约 0.1~0.5 μm/min，与功率相关），控制溅射时间。
靶材利用率：避免过度溅射导致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 时需及时更换），通常平面靶材利用率约 30%~40%，旋转靶可提升至 60% 以上。
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