氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

溶剂萃取法（化学法） 以湿法冶金为基础，通过P204萃取剂选择性富集铟： 含铟物料经硫酸浸出后，在pH=1.5-2.0条件下进行三级逆流萃取，铟萃取率可达98%。 该工艺对低品位原料（含铟0.02%）适用性强，但存在试剂消耗大（硫酸用量2-3吨/吨铟）、废水处理成本高的问题。

物理分离法中的机械剥离技术，是通过破碎、筛分和浮选等方法，将ITO涂层与玻璃基板进行分离。随后，再结合化学处理对分离出的ITO涂层进行铟的提取。这种方法主要适用于LCD面板的回收，但需注意，其纯度可能相对较低。再生铟的应用广泛，包括重新制备ITO靶材，以及在半导体、合金等领域的使用。从经济角度看，回收1吨铟可以减少大约50吨原矿的开采，同时，回收铟的成本相比原生铟要低30%~50%。综上所述，ITO铟的回收不仅对环境友好，还能带来显著的经济效益。随着科技的不断进步和电子废弃物数量的不断增加，且环保的回收方案将成为稀散金属可持续利用的关键所在。

ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。