纯化技术
区熔法：一种通过熔化和重新结晶来纯化材料的方法，可有效去除铟中的杂质，提高其纯度。
电解精炼：利用电化学反应将铟从杂质中分离出来。将铟材料作为阳极，置于电解液中，通过施加电流使铟离子在阴极上沉积，从而得到高纯度的铟。
化学纯化：利用化学反应去除铟中的杂质，例如通过溶剂萃取和化学沉淀等方法，可有效分离和去除杂质，提高铟的纯度。
先进封装技术
应用：在芯片倒装焊（Flip Chip）中作为焊料或热界面材料，实现芯片与基板的电气连接和热传导。
特点：低熔点（156.6℃）和高可靠性，适用于精密电子器件的低温封装。
铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。
溅射气体控制
气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。
气压调节：
直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。
射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。