氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

溶剂萃取法（化学法） 以湿法冶金为基础，通过P204萃取剂选择性富集铟： 含铟物料经硫酸浸出后，在pH=1.5-2.0条件下进行三级逆流萃取，铟萃取率可达98%。 该工艺对低品位原料（含铟0.02%）适用性强，但存在试剂消耗大（硫酸用量2-3吨/吨铟）、废水处理成本高的问题。

当前，铟的主要消费领域集中在ITO靶材上，其占比高达约70%。此外，半导体制造和合金领域的需求也不容忽视，两者合计占总消费量的24%，而其他研究领域则占据了6%。然而，由于ITO制造过程中靶材利用率仅达30%左右，导致大量剩余材料成为废料。加之电子废弃物的激增，铟回收已成为资源可持续利用不可或缺的一环。随着技术进步和应用需求的增长，ITO废料回收能有效减少原矿资源消耗，实现资源的可持续性发展。

ITO靶材回收流程 ITO靶材的回收流程通常包括以下几个步骤： 1. 收集与分类：将废旧ITO靶材进行收集，并根据其种类、纯度等进行分类。 2. 破碎与研磨：将分类后的靶材进行破碎和研磨，使其变成粉末状，便于后续处理。 3. 化学分离：采用化学方法将粉末中的铟、锡等元素进行有效分离。 4. 提纯与精炼：对分离出的铟、锡等元素进行提纯和精炼，得到高纯度的金属产品。 5. 再加工：将提纯后的金属产品加工成新的靶材或其他产品，实现资源的循环利用。