粉末冶金法：通过将铟粉末在高温下压制和烧结成型，可有效控制杂质含量，能制造出形状复杂的靶材，制得的靶材具有较高的致密度和均匀性。
熔炼法：将铟材料加热至熔点以上，使其成为液态，然后通过铸模或其他成型工艺制造靶材，该方法简单快捷，但控制纯度和均匀性相对较难。
溅射气体控制
气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。
气压调节：
直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。
射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。
功率与温度管理
溅射功率：
铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。
直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。
靶材冷却：
采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。
定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。
锦鑫业务回收范围：
冶炼厂：黄金，白银，铂金，钯金，铑金，银锌电瓶，以及粗铅,贵铅,阳极泥等废料;
矿山厂：铜粉，铅粉，活性炭，载金炭，炭泥，银粉，银泥，金泥，一切炼金，炼银，炼铂，钯铑的废渣废料等。
电镀厂：金盐，银盐，金水，钯水，氯化钯，金银废水等废料；
电子厂：电子厂回收：半导体蓝膜，半导体镀金硅片、镀银瓷片、压敏电阻、薄膜开关，废冷光片，背光源，废银浆、钯浆、擦银布、擦金布，银浆罐、金浆罐、含钯陶瓷片，含金陶瓷片，含银的陶瓷片、银焊条、银焊丝、银粉、导电银胶，镀金，镀银，镀铑镀铂等废料。
首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；
印刷厂：印刷废菲林、X光片、定影水；
化工石油厂：钯，铂，铑，钌催化剂等。