粉末冶金法：通过将铟粉末在高温下压制和烧结成型，可有效控制杂质含量，能制造出形状复杂的靶材，制得的靶材具有较高的致密度和均匀性。
熔炼法：将铟材料加热至熔点以上，使其成为液态，然后通过铸模或其他成型工艺制造靶材，该方法简单快捷，但控制纯度和均匀性相对较难。
热压法：把铟粉末在高温和高压下压制成型，能够提高靶材的致密度和机械强度，同时有助于减少气孔和其他缺陷。
冷等静压法：利用液压介质在室温下对铟粉末施加均匀压力使其成型，可制造出高密度和均匀性的靶材，但需要后续的烧结处理来提高其机械性能。
化合物半导体器件
场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。
作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。