物理特性：铟靶材呈银色光泽的灰色，熔点为 156.61℃，沸点 2060℃，密度 7.3 g/cm³。质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有良好的延展性，可压成片。
化学特性：铟具有较好的化学稳定性，但在一些特定的环境下，如高温、强酸碱等条件下，可能会发生化学反应。铟化合物在真空下蒸发，能够在电子产品和光伏电池生产中形成薄膜。
粉末冶金法：通过将铟粉末在高温下压制和烧结成型，可有效控制杂质含量，能制造出形状复杂的靶材，制得的靶材具有较高的致密度和均匀性。
熔炼法：将铟材料加热至熔点以上，使其成为液态，然后通过铸模或其他成型工艺制造靶材，该方法简单快捷，但控制纯度和均匀性相对较难。
化合物半导体器件
场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。
作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
固态电池与储能技术
前沿应用：铟作为固态电解质的界面改性材料，改善电极与电解质的接触阻抗，提升固态电池的循环寿命和性。