光伏领域：在薄膜太阳能电池中，铟靶材可作为光吸收层形成用的溅射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太阳能电池，有助于提高太阳能电池的转换效率。
薄膜太阳能电池
主流技术：用于铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池的溅射镀膜，作为光吸收层（In-Ga-Se 合金）的核心材料。
优势：CIGS 电池的光电转换效率超过 23%，铟靶的纯度直接影响电池的开路电压和填充因子。
科研与前沿技术
1. 量子计算与超导器件
探索应用：铟薄膜作为超导材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制备，利用其超导电性实现低损耗量子信号传输。
2. 柔性电子与可穿戴设备
技术方向：在柔性电路板（FPC）、电子皮肤中作为可拉伸导电薄膜，利用铟的高延展性满足器件形变需求。
功率与温度管理
溅射功率：
铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。
直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。
靶材冷却：
采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。
定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。