化合物半导体器件
场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。
作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
薄膜太阳能电池
主流技术：用于铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池的溅射镀膜，作为光吸收层（In-Ga-Se 合金）的核心材料。
优势：CIGS 电池的光电转换效率超过 23%，铟靶的纯度直接影响电池的开路电压和填充因子。
功率与温度管理
溅射功率：
铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。
直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。
靶材冷却：
采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。
定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。
小金属：粗铟，精铟，ito铟靶材，粗稼，金属镓99.99以及废料。高价回收镍片，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，铟.铟丝.氧化铟.
高价回收镍片，镍泥，镍催化剂，含镍物料，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，高价 回收 ( 钽 ) 钽丝 钽粉 钽电容 钽铌 钽钨 ，铟.铟丝.氧化铟.金.金属锗.锗锭99.999等.