日前，美光全球第一个宣布了232层堆叠的NAND闪存，全球首家突破200层，已经投入量产。 新闪存走的还是TLC，首次引入6个平面，存储密度创新高14.6Gb/mm2，2.4GB/s IO速度提升50%，读取带宽提升785%，写入带宽提升10%，封装面积减小28%，还首发支持NVLPDDR4内存。
